Laboratorio di Caratterizzazione di Dispositivi RF

Nome del Laboratorio: Laboratorio di Caratterizzazione di Dispositivi RF
Ubicazione: Locale 2.10, Palazzina 2
Responsabile della funzionalità: prof. N. Rinaldi

Caratterizzazione sperimentale DC e RF di dispositivi on wafer
Il laboratorio è attrezzato per la caratterizzazione in continua (DC) e a radiofrequenza (RF) di dispositivi integrati (on-wafer) grazie a una probe-station manuale e a delle sonde adeguate per la contrattazione dei dispositivi. Il setup sperimentale consente di effettuare misurazioni a temperatura ambiente fissata, controllando la temperatura della base su cui il wafer è poggiato (chuck) mediante un sistema dedicato che consente di fissare tale temperatura nell’intervallo 0÷200 °C.
Le misurazioni DC possono essere effettuate anche con un sistema impulsato sviluppato in-house che, evitando l’autoriscaldamento del dispositivo, consente di effettuare misurazioni isoterme.
Grazie all’analizzatore di reti vettoriale (PNA) è possibile misurare i parametri di scattering di dispositivi attivi e passivi, a una oppure a due porte, nel range di frequenze 10MHz÷67GHz. I parametri di scattering misurati per un dispositivo attivo, opportunamente elaborati, consentono di valutarne le prestazioni a radiofrequenza.
Le misurazioni DC e RF sono effettuate da remoto utilizzando dei software, commerciali e custom, specifici per l’interfacciamento tra strumentazione di misura e computer; questo garantisce automatizzazione e modularità e consente di controllare la durata delle misurazioni negli esperimenti in cui essa risulta essere un parametro critico (ad esempio nello studio dei fenomeni di degradazione da stress elettrico).

Collaborazioni stabilite

  • Infineon Technologies AG, Neubiberg, Germany
  • Innovations for High-Performance Microelectronics - IHP GmbH, Frankfurt (Oder), Germany
  • Rheinisch-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, Germany
  • Technische Universität Dresden, Dresden, Germany
  • Technische Universiteit Delft, Delft, Netherlands
  • Université Bordeaux I, Bordeaux, France
  • XMOD Technologies, Bordeaux, France

Probe station manuale con termochuck e sonde RF di tipo GSG.

Wafer (dies) di HBT SiGe allo stato dell’arte. Sono visibili le strutture DC nella parte alta e le strutture RF nelle sezioni inferiori.